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低阻型四探針檢測(cè)儀/方阻儀/四探針電阻率檢測(cè)儀

更新時(shí)間:2013-12-21點(diǎn)擊次數(shù):1478

低阻型四探針檢測(cè)儀/方阻儀/四探針電阻率檢測(cè)儀  型號(hào);DP-KDY-1

儀器采用GB/T 1552-1995硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直排四探針?lè)?BR>(2)范圍:電阻率10-5~10+3歐姆·厘米,分辨率為10-5歐姆·厘米
方塊電阻10-4~10+4歐姆/□,zui小分辨率為10-4歐姆/□
(3)可測(cè)量材料:半導(dǎo)體材料硅鍺棒、塊、片、導(dǎo)電薄膜等
可準(zhǔn)確測(cè)量的半導(dǎo)體尺寸:直徑≥20㎜


可測(cè)量的半導(dǎo)體尺寸:直徑≥8㎜
(4)測(cè)量方式:平面測(cè)量。
(5)電壓表:雙數(shù)字電壓表,可同時(shí)觀察電流、電壓變化
A.量程0~19.999 mV
B.基本誤差±(0.004%讀數(shù)+0.01%滿度)
C.靈敏度:1uV
D輸入阻抗﹥1000MΩ
E 4 1/2位數(shù)字顯示,0~19999
(6)恒流源:
A.電流輸出:直流電流0.003~100 mA連續(xù)可調(diào),有交流電源供給
B.量程:10uA,100uA,1 mA,10 mA,100 mA五檔


 C.恒流源度:各檔均≤±0.05%
(7)四探針測(cè)試探頭
A.探頭間距1.59㎜
B.探針機(jī)械游率:±0.3%
C.探針直徑0.8㎜
D.探針材料:碳化鎢,探針間及探針與其他分之間的緣電阻大于109歐姆。
(8)測(cè)試架:(選配)
手動(dòng)測(cè)試架:KDJ-1A 型手動(dòng)測(cè)試架探頭上下由手動(dòng)操作,可以用作斷面單晶棒和硅片測(cè)試,探針頭可上下移動(dòng)距離:120mm,測(cè)試臺(tái)面200x200(mm)。
(9)度
電器度:1-1000歐姆≤0.3 %
整機(jī)測(cè)量度:1-100歐姆·厘米≤3%
(10)電流:220V±10%,50HZ,率消耗﹤35W

注:如果測(cè)金屬粉末電阻率把樣品壓成塊或片才能測(cè)
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